คูลอมบ์แอคชันของรอยต่อการทะลุผ่านแบบเรียงแถวในหนึ่งมิติ, Coulomb Action of Finite One Dimensional Array of Tunneling Junctions

Abstract

คูลอมบ์แอคชันของระบบรอยต่อการทะลุผ่านที่ต่ออนุกรมกัน ถูกคำนวณโดยการแสดงพร์ทิชันก์ชันในรูปฟังก์ชันนัลอินทิกรัลฟอร์มูเลชัน เพื่อตรวจสอบผลการคำนวณดังกล่าว คณะวิจัยได้นำคูลอมบ์แอคชันไปคำนวณจำนวนอิเล็กตรอนเฉลี่ยและสร้างแผนภาพเสถียรของระบบ 2 และ 3 ควอนตัมดอท ตามลำดับ พบว่าแผนภาพเสถียรดังกล่าวสอดคล้องกับผลการคำนวณโดยตรงจากพลังงาน การเพิ่มประจุ แต่วิธีการที่นำเสนอในงานวิจัยนี้ สามารถแสดงผลของอุณหภูมิต่อการเปลี่ยนแปลงแผนภาพเสถียรและสะดวกต่อการนำไปประยุกต์ใช้ในการคำนวณแผนภาพเสถียรของระบบที่มีจำนวนควอนตัมดอทเพิ่มมากขึ้นคำสำคัญ : คูลอมบ์แอคชัน ควอนตัมดอท พลังงานการเพิ่มประจุCoulomb Action of Finite One DimensionalArray of Tunneling JunctionsABSTRACT The Coulomb action of serial tunneling junctions was calculated by the partitionfunction expressed in the functional integral formulation. To verify the calculated result, theCoulomb action was applied to calculate the average electron numbers and the stability diagramsof double and triple quantum dots systems, respectively. We found that the results correspond tothe stability diagrams directly calculated from the charging energy of the systems. Moreover,this approach can determine the temperature dependence of the stability diagrams and be easilyapplied to larger systems containing more quantum dots.