คูลอมบ์แอคชันของรอยต่อการทะลุผ่านแบบเรียงแถวในหนึ่งมิติ, Coulomb Action of Finite One Dimensional Array of Tunneling Junctions

Abstract

คูลอมบ์แอคชันของระบบรอยต่อการทะลุผ่านที่ต่ออนุกรมกัน ถูกคำนวณโดยการแสดงพร์ทิชันก์ชันในรูปฟังก์ชันนัลอินทิกรัลฟอร์มูเลชัน เพื่อตรวจสอบผลการคำนวณดังกล่าว คณะวิจัยได้นำคูลอมบ์แอคชันไปคำนวณจำนวนอิเล็กตรอนเฉลี่ยและสร้างแผนภาพเสถียรของระบบ 2 และ 3 ควอนตัมดอท ตามลำดับ พบว่าแผนภาพเสถียรดังกล่าวสอดคล้องกับผลการคำนวณโดยตรงจากพลังงาน การเพิ่มประจุ แต่วิธีการที่นำเสนอในงานวิจัยนี้ สามารถแสดงผลของอุณหภูมิต่อการเปลี่ยนแปลงแผนภาพเสถียรและสะดวกต่อการนำไปประยุกต์ใช้ในการคำนวณแผนภาพเสถียรของระบบที่มีจำนวนควอนตัมดอทเพิ่มมากขึ้น

คำสำคัญ : คูลอมบ์แอคชัน ควอนตัมดอท พลังงานการเพิ่มประจุ

Coulomb Action of Finite One Dimensional
Array of Tunneling Junctions

ABSTRACT
The Coulomb action of serial tunneling junctions was calculated by the partition
function expressed in the functional integral formulation. To verify the calculated result, the
Coulomb action was applied to calculate the average electron numbers and the stability diagrams
of double and triple quantum dots systems, respectively. We found that the results correspond to
the stability diagrams directly calculated from the charging energy of the systems. Moreover,
this approach can determine the temperature dependence of the stability diagrams and be easily
applied to larger systems containing more quantum dots.